3月28日音问，跟着三星Galaxy S26系列的上市，三星首款基于自家2nm GAA制程工艺的Exynos 2600贬责器的性能也被曝光。从基于该贬责器的实测数据来看，三星2nm GAA制程的能效发扬仍不足基于台积电3nm的高通Snapdragon 8 Elite Gen 5。
近日，一位YouTube频说念博主@TechStation365对三星Galaxy S26、 OnePlus 15以及Motorola Signature等搭载不同芯片的成就进行了一系列测试，天然Galaxy S26搭载的Exynos 2600的性能发扬上已与高通基于台积电3nm（N3P）的Snapdragon 8 Elite Gen 5 非常，但30W峰值功耗已与部分条记本电脑的功耗非常，令东说念主担忧。而高通Snapdragon 8 Elite Gen 5的峰值功耗则保握在21W，显现三星2nm GAA制程仍需翻新。
把柄最新Geekbench 6测试显现：
高通Snapdragon 8 Elite Gen 5：
单核： 3，641分
多核： 10，902分
峰值功耗： 21.48W
三星Exynos 2600：
单核： 3，271分（比Snapdragon 8 Elite Gen 5低10.16% ）
多核： 10，745分（比Snapdragon 8 Elite Gen 5低1.14% ）
峰值功耗： 30.22W （比Snapdragon 8 Elite Gen 5高40.69% ）
高通Snapdragon 8 Gen 5：
单中枢： 2，904分
多中枢： 9，443分
峰值功耗： 21.89W
这里需要诠释的是，Exynos 2600的CPU领受“1+3+6”十中枢架构，包含1颗主频3.8GHz的Cortex-C1 Ultra中枢、3颗3.25GHz的Cortex-C1 Pro中枢和6颗2.75GHz的Cortex-C1 Pro中枢。而Snapdragon 8 Elite Gen 5则包含两颗4.6GHz超大核与六颗3.62GHz大核。
天然Exynos 2600峰值功耗可能只看护几秒，但这显现Galaxy S26在万古辰高负载驱动时可能发扬欠安，因为Exynos 2600的举座功耗偏高。把柄推测，九游jiuyouExynos 2600的高功耗可能与CPU中枢数加多联系，以造就多中枢发扬，但代价是功耗上涨；能够是Geekbench 6的意想打算强制SoC达到最高频率。
即便在解压20GB压缩包的惯例任务中， Exynos 2600成果也未见改善，峰值功耗达13W ，而Snapdragon 8 Elite Gen 5与Snapdragon 8 Gen 5均低于5W 。
流程屡次测试并计较平均值后，TechStation365合计Exynos 2600存在“功耗较高”的问题，因为这10中枢需要更多电力才略达到最好性能。这也响应了台积电3nm制程的举座发扬仍优于三星2nm。
由于Exynos 2600的功耗偏高，导致了Galaxy S26的电板续航发扬欠安，在关系测试中，续航时辰唯有6小时48分钟九游ninegame，比拟之下搭载Snapdragon 8 Elite Gen 5的安卓手机续航则达到了9小时26分钟，比Galaxy S26跨越了28%。
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